ASTM F95-89(2000)

Standard Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer (Withdrawn 2003)

Automatische name übersetzung:

Standard -Testverfahren für die Dicke der schwach dotierten Silizium- Epitaxieschichten stark dotierten Siliziumsubstrate unter Verwendung eines Infrarot -Spektrophotometers Dispersive ( Zurückgezogen 2003)



NORM herausgegeben am 1.1.2000


Sprache
Realisierung
ZugänglichkeitAUF LAGER
Preis79.90 ohne MWS
79.90

Informationen über die Norm:

Bezeichnung normen: ASTM F95-89(2000)
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 1.1.2000
SKU: NS-57039
Zahl der Seiten: 7
Gewicht ca.: 21 g (0.05 Pfund)
Land: Amerikanische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ASTM

Die Annotation des Normtextes ASTM F95-89(2000) :

Keywords:

epi, epi thickness, epitaxial layer, FTIR, index of refraction, IR, layer thickness, spectrophotometer, ICS Number Code 29.045 (Semiconducting materials)

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