ASTM F996-98

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

Automatische name übersetzung:

Standard Test Method for Trenn einem durch ionisierende Strahlung induzierte MOSFET Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten Aufgrund Gefangen Holes and Interface Staaten Mit den unterschwelligen Strom-Spannungskenn Oxid



NORM herausgegeben am 10.5.1998


Sprache
Realisierung
ZugänglichkeitAUF LAGER
Preis79.90 ohne MWS
79.90

Informationen über die Norm:

Bezeichnung normen: ASTM F996-98
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 10.5.1998
SKU: NS-57212
Zahl der Seiten: 6
Gewicht ca.: 18 g (0.04 Pfund)
Land: Amerikanische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ASTM

Die Annotation des Normtextes ASTM F996-98 :

Keywords:

Current measurement-semiconductors, Electrical conductors-semiconductors, Gate and field oxides, Ionizing radiation, MOSFETs, Radiation exposure-electronic components/devices, Silicon-semiconductor applications, Threshold voltage, separating a total-dose induced mosfet threshold voltage shift into, ICS Number Code 31.080.30 (Transistors)

Empfehlungen:

Aktualisierung der Gesetze

Wollen Sie sich sicher sein, dass Sie nur die gültigen technischen Vorschriften verwenden?
Wir bieten Ihnen Lösungen, damit Sie immer nur die gültigen (aktuellen) legislativen Vorschriften verwenden könnten.
Brauchen Sie mehr Informationen? Sehen Sie sich diese Seite an.




Cookies Cookies

Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.

Sie können die Zustimmung verweigern hier.

Hier können Sie Ihre Cookie-Einstellungen nach Ihren Wünschen anpassen.

Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können.