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Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
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Bauartspezifikation für Low-Power- Silikon-NPN Schalttransistoren. 20 V , planare epitaktische , Umgebungs gelesen hermetische Kapselung. Voll plus zusätzliche Beurteilungspegel
NORM herausgegeben am 15.7.1978
Bezeichnung normen: BS 9364N007andN009:1978
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 15.7.1978
SKU: NS-79170
Zahl der Seiten: 12
Gewicht ca.: 36 g (0.08 Pfund)
Land: Britische technische Norm
Kategorie: Technische Normen BS
Letzte Aktualisierung: 2024-07-21 (Zahl der Positionen: 2 338 123)
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