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Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level.
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Bauartspezifikation für Low-Power- Silikon-NPN Schalttransistoren. 65 V , planare epitaktische , Umgebungs gelesen hermetische Kapselung. Voll plus zusätzliche Beurteilungspegel
NORM herausgegeben am 15.1.1979
Bezeichnung normen: BS 9364N016:1979
Anmerkung: UNGÜLTIG
Ausgabedatum normen: 15.1.1979
SKU: NS-79175
Zahl der Seiten: 12
Gewicht ca.: 36 g (0.08 Pfund)
Land: Britische technische Norm
Kategorie: Technische Normen BS
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Letzte Aktualisierung: 2024-12-26 (Zahl der Positionen: 2 217 217)
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