ČSN EN IEC 60749-18-ed.2 (358799)

Kategorie - ähnliche Normen:

Semiconductor devices in general

Die Annotation des Normtextes ČSN EN IEC 60749-18-ed.2 (358799):

Tato norma stanoví zkušební postup na definování požadavků pro zkoušení zapouzdřených polovodičových integrovaných obvodů a diskrétních polovodičových součástek na účinky ionizujícího záření (celkovou dávkou) ze zdroje gama paprsku kobaltu-60 (60Co). Mohou se použít i jiné vhodné zdroje záření.

Uvádí čtyři zkoušky, které jsou uvedeny v tomto postupu:

• a) standardní zkouška ozářením při pokojové teplotě;
• b) zkouška ozářením při zvýšené/kryogenní teplotě;
• c) zrychlená zkoušku žíháním;
• d) rozšířená citlivostní zkouška při nízké intenzitě dávky (ELDRS).

Norma je určena pouze pro ustálená záření a nelze ji použít pro pulsní typy záření. Je určena pro vojenské a kosmické účely.

Zkoušky podle této normy mohou vytvářet závažné degradace elektrických vlastností ozařovaných součástek, proto jsou tyto zkoušky považovány za destruktivní