ČSN EN IEC 60749-28-ed.2 (358799)

Kategorie - ähnliche Normen:

Semiconductor devices in general

Die Annotation des Normtextes ČSN EN IEC 60749-28-ed.2 (358799):

Tato norma stanoví postup pro zkoušení, vyhodnocování a klasifikaci součástek a mikroobvodů podle jejich náchylnosti (citlivosti) na poškození nebo degradaci vystavením definovanému indukovanému poli elektrostatického výboje (ESD) modelu nabité součástky (CDM). Všechny zapouzdřené polovodičové součástky, tenkovrstvé obvody, součástky s povrchovou akustickou vlnou (SAW), optoelektronické součástky, hybridní integrované obvody (HIC) a vícečipové moduly (MCM) obsahující některé z těchto součástek, budou hodnoceny podle tohoto dokumentu. K provedení zkoušek jsou součástky sestaveny do pouzdra, který je podobný očekávanému konečnému použití. Tento dokument CDM se nevztahuje na model vybíjení pomocí paticového zkušebního zařízení. Tento dokument popisuje metodu indukce polem (FI). Jiná metoda (metoda přímého kontaktu (DC)) je popsána v příloze J.

Účelem tohoto dokumentu je stanovit zkušební metodu, která bude opakovaně vyvolávat poruchy CDM a poskytovat spolehlivé, opakovatelné výsledky zkoušek ESD CDM z jednotlivých zkušebních zařízení bez ohledu na typ součástky. Opakovatelné údaje budou umožňovat přesné klasifikace a srovnání úrovní citlivosti ESD CDM