Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.
Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices
Name übersetzen
NORM herausgegeben am 1.10.2022
Bezeichnung normen: ČSN EN IEC 63373
Zeichen: 358766
Katalog-Nummer: 514958
Ausgabedatum normen: 1.10.2022
SKU: NS-1085186
Zahl der Seiten: 24
Gewicht ca.: 72 g (0.16 Pfund)
Land: Tschechische technische Norm
Kategorie: Technische Normen ČSN
Obecně je zkoušení dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu měřítkem jevů zachycování náboje ve výkonových tranzistorech GaN. Tato norma poskytuje návod pro zkoušení dynamického odporu v sepnutém stavu laterálních výkonových tranzistorů GaN. Zkušební metody lze použít pro následující případy: a) diskrétní výkonové součástky GaN v obohaceném a ochuzeném režimu [3]; b) GaN v integrovaných výkonových řešeních; c) výše uvedené na úrovni desky nebo pouzdra. Předepsané zkušební metody lze použít pro stanovení charakteristik součástek, výrobní zkoušky, hodnocení spolehlivosti a posouzení aplikací GaN součástek pro výkonové měniče. Tato norma se nezabývá příslušnými mechanismy dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu a jeho symbolické reprezentace pro specifikace výrobků
Bereitstellung von aktuellen Informationen über legislative Vorschriften in der Sammlung der Gesetze bis zum Jahr 1945.
Aktualisierung 2x pro Monat!
Brauchen Sie mehr Informationen? Sehen Sie sich diese Seite an.
Letzte Aktualisierung: 2024-07-26 (Zahl der Positionen: 2 339 085)
© Copyright 2024 NORMSERVIS s.r.o.