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Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
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Halbleiterbauelemente - Zeitabhängige dielektrische Durchschlag (TDDB) Test für Gate-Dielektrikum-Filme
NORM herausgegeben am 29.3.2007
Bezeichnung normen: IEC 62374-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 29.3.2007
SKU: NS-414555
Zahl der Seiten: 43
Gewicht ca.: 129 g (0.28 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
Provides a test method of Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) for gate dielectric films on semiconductor devices and a product lifetime estimation method of TDDB failure Cette norme decrit une methode d essai de la rupture dielectrique en fonction du temps (TDDB) pour films dielectriques de grille des dispositifs a semiconducteurs et une methode d estimation de la duree de vie de produit en presence d unedefaillance de type TDDB.
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Letzte Aktualisierung: 2024-09-11 (Zahl der Positionen: 2 346 290)
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