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IEC 63068-1-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects
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NORM herausgegeben am 30.1.2019
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 63068-1-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 30.1.2019
SKU: NS-935986
Zahl der Seiten: 23
Gewicht ca.: 69 g (0.15 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
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Die Annotation des Normtextes IEC 63068-1-ed.1.0 :
IEC 63068-1:2019(E) gives a classification of defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial layers. The defects are classified on the basis of their crystallographic structures and recognized by non-destructive detection methods including bright-field OM (optical microscopy), PL (photoluminescence), and XRT (X-ray topography) images.
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