Cookies
Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.
IEC 63275-1-ed.1.0
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
Name übersetzen
NORM herausgegeben am 21.4.2022
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 63275-1-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 21.4.2022
SKU: NS-1055629
Zahl der Seiten: 25
Gewicht ca.: 75 g (0.17 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
Kategorie - ähnliche Normen:
Die Annotation des Normtextes IEC 63275-1-ed.1.0 :
IEC 63275-1:2022 gives a test method to evaluate gate threshold voltage shift of silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) using room temperature readout after applying continuous positive gate-source voltage stress at elevated temperature. The proposed method accepts a certain amount of recovery by allowing large delay times between stress and measurement (up to 10 h). L’IEC 63275-1:2022 donne une methode d’essai pour evaluer le decalage de la tension de seuil de grille des transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) de puissance en carbure de silicium (SiC) en utilisant un releve a temperature ambiante apres avoir applique une contrainte de tension grille-source positive continue a temperature elevee. La methode proposee accepte une certaine quantite de recouvrement en autorisant des decalages importants entre la contrainte et la mesure (jusqu’a 10 h).
Empfehlungen:
Aktualisierung der technischen Normen
Wollen Sie sich sicher sein, dass Sie nur die gültigen technischen Normen verwenden?
Wir bieten Ihnen eine Lösung, die Ihnen eine Monatsübersicht über die Aktualität der von Ihnen angewandten Normen sicher stellt.
Brauchen Sie mehr Informationen? Sehen Sie sich diese Seite an.
