Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.
Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
Name übersetzen
NORM herausgegeben am 21.4.2022
Bezeichnung normen: IEC 63284-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 21.4.2022
SKU: NS-1055630
Zahl der Seiten: 25
Gewicht ca.: 75 g (0.17 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
IEC 63284:2022 covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of gallium nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress LIEC 63284:2022 couvre le protocole dexecution dune procedure de contrainte et une methode dessai correspondante, en vue devaluer la fiabilite des transistors de puissance a base de nitrure de gallium (GaN) par la commutation sur charge inductive, en particulier la contrainte de commutation dure.
Wollen Sie sich sicher sein, dass Sie nur die gültigen technischen Normen verwenden?
Wir bieten Ihnen eine Lösung, die Ihnen eine Monatsübersicht über die Aktualität der von Ihnen angewandten Normen sicher stellt.
Brauchen Sie mehr Informationen? Sehen Sie sich diese Seite an.
Letzte Aktualisierung: 2025-03-14 (Zahl der Positionen: 2 232 255)
© Copyright 2025 NORMSERVIS s.r.o.