Cookies
Wir benötigen Ihre Einwilligung zur Verwendung der einzelnen Daten, damit Sie unter anderem Informationen zu Ihren Interessen einsehen können. Klicken Sie auf "OK", um Ihre Zustimmung zu erteilen.
IEC 63505-ed.1.0
Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
Name übersetzen
NORM herausgegeben am 8.4.2025
Informationen über die Norm:
Bezeichnung normen: IEC 63505-ed.1.0
Ausgabedatum normen: 8.4.2025
SKU: NS-1218052
Zahl der Seiten: 12
Gewicht ca.: 36 g (0.08 Pfund)
Land: Internationale technische Norm
Kategorie: Technische Normen IEC
Kategorie - ähnliche Normen:
Die Annotation des Normtextes IEC 63505-ed.1.0 :
IEC 63505:2025 gives guidance on VT measurement methods and conditioning prior to VT testing in SiC power MOSFETs to reduce or eliminate the effect of the aforementioned hysteresis. The method is applicable for PBTI testing, NBTI and threshold voltage changes caused by switching events are excluded from the scope. SiC MOSFETs have threshold voltage hysteresis caused by transient trap effects, which impacts the evaluation of the actual the VT shift caused by stress tests such as bias temperature instabilities (BTI).
Empfehlungen:
Aktualisierung der technischen Normen
Wollen Sie sich sicher sein, dass Sie nur die gültigen technischen Normen verwenden?
Wir bieten Ihnen eine Lösung, die Ihnen eine Monatsübersicht über die Aktualität der von Ihnen angewandten Normen sicher stellt.
Brauchen Sie mehr Informationen? Sehen Sie sich diese Seite an.
