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BSi – die Gesellschaft BSi British Standards ist eine nationale Standardisierungsbehörde in Großbritannien (NSB) und als solche war sie die erste in der Welt. Sie vertritt wirtschaftliche und gesellschaftliche Interessen von Großbritannien in allen europäischen und internationalen Standardisierungsorganisationen auch im Rahmen der Entwicklung neuer Lösungen von betrieblichen Informationen für britische Organisationen aller Größen und Branchen. Die Gesellschaft BSi British Standards arbeitet mit Produktionsindustrie sowie mit Dienstleistungsindustrie, mit Betrieben, Regierungen und Verbrauchern zusammen, um die Bildung der britischen, europäischen und internationalen Normen zu erleichtern. Ein Bestandteil der Organisation BSI Group, die Gesellschaft BSI British Standards, arbeitet mit der Regierung Großbritanniens eng zusammen, insbesondere mittels der Abteilung für Innovationen, Universitäten und Fertigkeiten (DIUS).
Detail specification for silicon n-p-n high frequency transistor.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.2.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon stud mounted, reverse blocking triode thyristors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 24.10.1973
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon fast switching, double ended diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specifications for silicon coaxial mixer diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.4.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specifications for silicon stud mounted, power rectifier diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon variable capacitance diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specifications for silicon voltage-regulator diodes.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon n-p-n medium power transistors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.3.1971
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for silicon avalanche rectifier diode.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.10.1973
Ausgewählte Ausführung:Detail specification for six terminal device, containing two isolated high gain n-p-n silicon planar transistors.
UNGÜLTIG herausgegeben am 15.1.1971
Ausgewählte Ausführung:Letzte Aktualisierung: 2024-09-25 (Zahl der Positionen: 2 350 354)
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